ULSI多層配線プロセス技術の基礎と最新動向
| 先行デバイスメーカーが語る32ｎｍ世代以降の全貌！ 多層配線プロセスの基礎からPost-Cu／Low-k技術の展望まで |
| ULSI多層配線プロセス技術の基礎と最新動向 |
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| 世代とともに極めて深刻になりつつある、歩留まりや信頼性の低下・・・ 32nm以降の多層配線技術を切り拓く有力要素プロセス技術・課題・開発の方向性を詳解！ ⇒本セミナーではスペシャリストの講師が、微細配線溝やビアホールへの薄膜バリアメタル及びCu埋め込み技術をはじめとして、Low-k層間絶縁膜プロセス技術の基礎と最新動向、Cu／Low-k技術の適用限界とPost-Cu／Low-k技術の展望までを解説します。 |
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| ■日時 | 11月19日（水）10:00～17:00 |
| ■会場 | 自動車部品会館7F第五会議室(東京･高輪) ※地図はこちらからご確認下さい。 |
| ■受講料 | １名56,700円（受講料54,000円、消費税2,700円） 2名以上1名51,450円（受講料49,000円、消費税2,450円） |
※開催日前14日目以降のキャンセルはお受けできませんので、 都合が悪い場合は代理の方がご出席をされますようご配慮お願います。 ※録音機等の持込みはご遠慮願います。 |
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お申し込みは、 こちらのページ から
| 講師のことば |
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将来の超高速かつ大規模なマルチメディア処理を可能にする高性能Si-ULSIを実現していくために、多層配線に対する微細化、高密度化、低抵抗化、低容
量化、高信頼化の要求は益々厳しさを増している。特に、配線寸法やビア径の微細化と新材料の導入に伴う歩留まりや信頼性の低下は世代とともに極めて深刻に
なりつつある。 本セミナーでは、32nm世代以降の微細配線溝やビアホールへの薄膜バリアメタル及びCu埋め込み技術をはじめとして、薄膜Ru ライナーや自己形成 MnOxバリア、高信頼化のためのCu配線上のキャップなどの有力要素プロセス技術の課題と今後の開発の方向性について述べる。また、多孔質 （Porous）低誘電率(Low-k)材料を層間絶縁膜として実用化していく上で益々重要となるPorous材料の機械強度改善施策やプラズマダメージ 修復技術についても詳細に解説する。さらに、将来の配線のさらなる微細化の実現に立ちはだかる技術障壁を打破するためのブレークスルー技術として、究極の Low-kである空中配線（Air-Gap）技術やカーボンナノチューブ(CNT)を用いた低抵抗・高信頼性ビア埋め込み/横成長配線技術の最新動向と実 用化に向けての課題についても言及する。 |
| 講師 |
| 株式会社東芝 半導体研究開発センター 先端BEOL技術開発部 部長 工学博士 柴田 英毅氏 |
| プログラム（各項目とも質疑応答含む） |
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